SJ/T 2658.12-2015
半導體紅外發(fā)射二極管測量方法 第12部分:峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬

Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode.Part 12: Peak-emission wavelength and spectral radiant bandwidth

SJT2658.12-2015, SJ2658.12-2015

SJ/T 2658.12-2015 發(fā)布歷史

SJ/T 2658.12-2015由行業(yè)標準-電子 CN-SJ 發(fā)布于 2015-10-10，并于 2016-04-01 實施。

SJ/T 2658.12-2015 在中國標準分類中歸屬于: L53 半導體發(fā)光器件，在國際標準分類中歸屬于: 31.080 半導體分立器件。

SJ/T 2658.12-2015 半導體紅外發(fā)射二極管測量方法 第12部分:峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的最新版本是哪一版？

最新版本是 SJ/T 2658.12-2015 。

SJ/T 2658.12-2015 發(fā)布之時，引用了標準

• SJ/T 2658.1 半導體紅外發(fā)射二極管測量方法 第1部分:總則

SJ/T 2658.12-2015的歷代版本如下：

• 2015年 SJ/T 2658.12-2015 半導體紅外發(fā)射二極管測量方法 第12部分:峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬
• 1986年 SJ 2658.12-1986 半導體紅外發(fā)光二極管測試方法.峰值發(fā)射波長和光譜半寬度的測試方法

SJ/T 2658.12-2015 半導體紅外發(fā)射二極管測量方法 第12部分：峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬 由 SJ 2658.12-1986 半導體紅外發(fā)光二極管測試方法.峰值發(fā)射波長和光譜半寬度的測試方法 變更而來。

本部分規(guī)定了半導體紅外發(fā)射二極管(以下簡稱器件)峰值發(fā)射波長和光譜輻射帶寬的測量原理圖、測量步驟以及規(guī)定條件。 本部分適用于半導體紅外發(fā)射二極管。

標準號

SJ/T 2658.12-2015

別名

SJT2658.12-2015
SJ2658.12-2015

發(fā)布

2015年

發(fā)布單位

行業(yè)標準-電子

當前最新

SJ/T 2658.12-2015

 

 

引用標準

SJ/T 2658.1

被代替標準

SJ 2658.12-1986

SJ/T 2658.12-2015 中可能用到的儀器設備

專題

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