GB/T 32281-2015
太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的測定二次離子質譜法

Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock.Secondary ion mass spectrometry

適用范圍: 本標準規定了太陽能級硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素體含量的二次離子質譜(SIMS)檢測方法。本標準適用于檢測各元素體含量不隨深度變化、且不考慮補償的太陽能級單晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的體含量。各元素體含量的檢測上限均為0.2%(即<1×10²⁰ atoms/cm³)，檢測下限分別為氧含量≥5×10¹⁶ atoms/cm³、碳含量≥1×10¹⁶ atoms/cm³、硼含量≥1×10¹⁴ atoms/cm³和磷含量≥2×10¹⁴ atoms/cm³。四種元素體含量的測定可使用配有銫一次離子源的SIMS儀器一次完成。

術語	描述
氧含量 oxygen content	硅片或硅料中氧元素的體含量，檢測下限為5×10^16 atoms/cm3
相對靈敏度因子(RSF) relative sensitivity factor (RSF)	用于將二次離子計數率轉換為元素體含量的標量因子

SIMS儀器配備銫一次離子源，質量分辨率優于4000	用于檢測硅片中氧、碳、硼和磷元素的體含量
法拉第杯檢測器	用于檢測二次離子的絕對電流強度