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GB/T 32277-2015
硅的儀器中子活化分析測試方法

Instrumental neutron activation analysis test method for silicon

GBT32277-2015, GB32277-2015


標準號
GB/T 32277-2015
別名
GBT32277-2015, GB32277-2015
發布
2017年
總頁數
19頁
發布單位
國家質檢總局
當前最新
GB/T 32277-2015
 
 
引用標準
GB 18871 GB/T 14264 GB/T 620 GB/T 626 GJB 2253 ISO 11929:2010
適用范圍
1.1 本標準規定了硅材料的儀器中子活化分析測試方法。 1.2 ”本標準適用于化學氣相沉積法或冶金提純方法生產的硅材料的儀器中子活化分析。 分析樣品可以是單唱硅、多晶硅,而多晶硅的形態可以是粉末、顆粒、塊狀或硅片。 1.3 ”本標準適用于材料的宏觀成分分析。 如按本測試方法進行額外的樣品制備,并在樣品抽取、傳送和制備過程中避免表面污染,也可實現樣品的表面或近表面區域分析。 1.4 本測試方法僅適用于附錄A中所列痕量元素的熱中子或超熱中子活化分析。 1.5 本測試方法不適用于非晶硅薄膜.多晶硅薄膜或微晶硅薄膜的分析。 對于受到人為挫雜高濃度特殊元素的硅樣品,也不屬于本測試方法適用范圍,但在檢查過挫雜對安全,檢測限和最小等待時間tw的影響之后,該測試方法還是可能適用。 1.6 本測試方法用于分析大范圍的痕量元素(見附錄A)。 通常,樣品的輻照時間應比”Si 的訓變壽命長,而且應等重照生成的”Si 充分地衰變之后才能實施分析。
術語描述
環境本底
Ambient Background
探測器記錄的除樣品外的所有輻射源產生的輻射
能量分辨率
Energy Resolution
γ譜峰峰值處的峰寬,表示探測器區分不同能量的能力
全能峰探測效率
Full-Energy Peak Detection Efficiency
探測器探測到某一特定能量γ光子的概率,受幾何因素和距離影響

GB/T 32277-2015 中提到的儀器設備

中子源
研究堆熱中子源(注量率5×10^9 n/s/cm2至2×10^10 n/s/cm2)
用于硅材料的中子輻照,生成放射性同位素
γ探測器
高純鍺探測器(相對效率大于20%)
用于檢測和分析γ射線譜,評估樣品中的雜質含量
多道分析器(MCA)
大于或等于4000道
用于處理γ譜數據,提高測量的精度和靈敏度

專題


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