ASTM E1162-11
報告次級離子質譜分析法(SIMS)中濺深深度文件數據的標準操作規程
Standard Practice for Reporting Sputter Depth Profile Data in Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS)
- 標準號
- ASTM E1162-11
- 發布
- 2011年
- 發布單位
- 美國材料與試驗協會
- 替代標準
- ASTM E1162-11(2019)
- 當前最新
- ASTM E1162-11(2019)
- 引用標準
- ASTM E673
- 適用范圍
- 這種做法用于報告“方法”第 6 節中指定的實驗條件?；颉皩嶒炐浴逼渌霭嫖锏牟糠郑ㄊ芫庉嬒拗疲?。該報告將包括每個數據集的具體條件，特別是出版物中不同濺射深度剖面數據集的任何參數是否發生變化。例如，表格的腳注或圖形標題將用于指定不同的條件。
1.1 這種做法涵蓋了描述和報告儀器、樣本參數、實驗條件和數據縮減程序所需的信息。 SIMS 濺射深度剖面可以使用各種主束激發條件、質量分析、數據采集和處理技術來獲得 (1-4)。
1.2 局限性8212；這種做法僅限于傳統的濺射深度剖面，其中信息在樣本平面的分析區域上進行平均。允許分析區域內二次離子橫向空間分辨率的離子微探針或顯微鏡技術（例如圖像深度分析）被排除在外。
1.3 以 SI 單位表示的值應被視為標準值。本標準不包含其他計量單位。
1.4 本標準并不旨在解決與其使用相關的所有安全問題（如果有）。本標準的使用者有責任在使用前建立適當的安全和健康實踐并確定監管限制的適用性。