T/IAWBS 001-2021
碳化硅單晶
Silicon carbide single crystal
- 標準號
- T/IAWBS 001-2021
- 發布
- 2021年
- 總頁數
- 16頁
- 發布單位
- 中國團體標準
- 當前最新
- T/IAWBS 001-2021
- 適用范圍
- 碳化硅作為重要的寬禁帶半導體材料，與硅和砷化鎵等傳統半導體相比，在熱導率、擊穿場強、飽和電子漂移速率、鍵合能和化學穩定性等方面具有明顯的優勢，是制作高溫、高頻、高壓、高功率以及抗輻射器件的理想材料，在新一代移動通信 、智能電網、高速軌道交通、新能源汽車、消費類電子等領域有廣闊的應用前景。隨著碳化硅單晶生長和加工技術的進步，碳化硅單晶拋光片產量在快速增長。碳化硅（SiC）作為發展最為成熟的第三代半導體，是半導體界公認的“一種未來的材料”，是發展第三代半導體產業的關鍵基礎材料。預計在今后5～10年將會快速發展和有顯著成果出現。 隨著碳化硅單晶生長和加工技術的進步，2英寸、3英寸、4英寸、6英寸中碳化硅單晶的生長質量也得到進一步提升。另外國內8英寸（150.0mm）碳化硅單晶已經面世，填補了我國在8英寸方面的空白。因此需要對T/IAWBS 001-2017《碳化硅單晶》團體標準中關于2英寸（50.8mm）、3英寸（76.2mm）、4英寸（100.0mm）、6英寸中相關指標要求進行調整，來滿足不同用途的產品質量標準。
其他標準
專題
T/IAWBS 001-2021相似標準
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