標準電壓下的耗盡型場效應管。從左到右依次依次為:結型場效應管,多晶硅金屬—氧化物—半導體場效應管,雙柵極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬柵極金屬—氧化物—半導體場效應管,金屬半導體場效應管。 耗盡層 , 電子 , 空穴 ,金屬,絕緣體. 上方:源極,下方:漏極,左方:柵極,右方:主體。電壓導致溝道形成的細節沒有畫出 摻雜FET(解釋如下)的溝道用來制造N型半導體或P型半導體。...
但是利用HK介質材料代替SiON也會引起很多問題,例如導致多晶硅柵耗盡效應形成高阻柵,HK介質材料與多晶硅的界面會形成界面失配現象降低載流子遷移率,HK介質材料還會造成費米能級的釘扎現象。目前半導體業界利用金屬柵(Metal Gate - MG)取代多晶硅柵電極可以解決Vt漂移、多晶硅柵耗盡效應、過高的柵電阻和費米能級的釘扎等現象。...
Park納米沙龍含有n溝道和p溝道過渡金屬硫化物的范德華結場效應晶體管Park Journal?? 過去的十幾年里,二維(2D)過渡金屬硫化物(TMD)被公認在未來納米電子學中存在了巨大的潛力,在材料和器件兩個方面都得到了廣泛的研究。主要的焦點是2D TMD半導體器件,這可能是現有或未來技術中最重要的部分。...
多晶硅柵具有三方面的優點:第一個優點是不但多晶硅與硅工藝兼容,而且多晶硅可以耐高溫退火,高溫退火是離子注入的要求;第二個優點是多晶硅柵是在源漏離子注入之前形成的,源漏離子注入時,多晶硅柵可以作為遮蔽層,所以離子只會注入多晶硅柵兩側,所以源漏擴散區與多晶硅柵是自對準的;第三個優點是可以通過摻雜N型和P型雜質來改變其功函數,從而調節器件的閾值電壓。...
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